Simulating Vertical GaN FinFETs in Sentaurus
I dag finns transistorer över allt. De kan fylla olika funktioner och därför används också olika material och olika design. För att undersöka hur material och design påverkar prestandan är simuleringar ett viktigt verktyg, vilket denna mastersuppsats ämnar att undersöka. I en modern telefon finns flera miljarder transistorer. De är oftast några nanometer stora och gjorda i kisel. Dessa är anpassIn this thesis a simulation of a vertical GaN FinFET is created. The mobility models are first calibrated against known measurements of a real device. The model is then used to investigate the effects of scaling the device. It is shown that a 1 µm drift layer with a 1 µm fin could achieve a breakdown voltage of 300 V and for a 5 µm drift layer a breakdown voltage of 700 V can be reached. The resul
