Simulation and TLM studies of vertical nanowire devices
Transistorer gjorda av NanoTrådar? Människans uppfinningsförmåga är fantastisk. Att vi med hjälp av sina naturvetenskapliga framsteg genom tiderna har kunnat samla ihop tillräckligt med kunskap för att kunna kontrollera elektroniska fenomen inom elektroniska komponenter som vi inte ens kan se. Vi har dessutom börjat tänja på de fysiska gränserna för vad materialen klarar av. Jag tänker i huvudsakVertical nanowire field effect transistors (NWFETs) have in this diploma work been studied in order to examine possible benefits of introducing a highly doped shell around the nanowire channel. It could be concluded that this new device geometry significantly enhances DC performance metrics. It does however also introduce an additional potential drop which may be large enough to reduce device stab
